Sodimm capacidad

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  • 2 voltios tecnología de la memoria: ddr4 capacidad de la memoria ram: 32 gb tipo de memoria del ordenador: sodimm número de modelo del producto: kf432s20ib/32 velocidad de memoria: 3200 mhz sistema operativo: intel xmp,ryzenconsiga su portátil o dispositivo de pequeño factor de forma equipado con kingston fury impact ddr4 sodimm y reduzca al mínimo el retraso del sistemaranura en la delgada pcb negra para agilizar el arranque, sin necesidad de configurar la biospnp no puede aumentar la velocidad de memoria del sistema más allá de lo que permite la bios del fabricantecaracterísticas: tipo de memoria interna: ddr4 latencia cas: 32 función de overclocking automático plug n play¹ perfiles preparados para xmp de intel preparado para amd ryzenespecificaciones: marca: kingston color: negro voltaje: 1algunos conjuntos de chips/procesadores más antiguos de intel (anteriores a la octava generación) no han sido actualizados para ser compatibles con los módulos de memoria que incorporan dram ddr4 de 16 gbits de densidadactualice el rendimiento del sistema para un funcionamiento silencioso, eficiente y sin recalentamientos gracias a la baja tensión (1,2 v) de fury impact ddr4¹ la memoria fury plug n play funcionará con los sistemas ddr4 hasta la velocidad permitida por la bios del sistema del fabricantelos productos fury ddr4 plug n play de kingston son compatibles con las especificaciones xmp 2preparada para amd ryzen y compatible con intel xmp, en capacidades de hasta 64 gb, fury impact ddr4 plug n play ejecuta automáticamente un overclocking hasta la más alta frecuencia publicada, hasta 3200 mhz¹, para compatibilizarse con las tecnologías de cpu más avanzadas de intel y amd0, por lo cual el overclocking también puede ejecutarse habilitando el perfil xmp integradoconsulte al fabricante del sistema o de la placa base la disponibilidad de un bios actualizado que sea compatible con una dram de 16 gbits

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  • 68 gramos tipo de memoria del ordenador: sodimm capacidad de la memoria ram: 16 gb número de modelo del producto: mn16gsd42666 latencia del estroboscopio de dirección de columna: cl19los módulos de memoria performance ddr4 de pny están diseñados y probados rigurosamente para garantizar un rendimiento estable y fiable en entornos informáticos de la vida realhagas lo que hagas con tu pc, lo harás mejor y más rápido con una actualización performance ddr4 2666 mhz de pnyrendimiento consabido velocidad excelente para pc portátil windows fiabilidad demostrada fiabilidad muy sólida y gran valor para un rendimiento mejorado bajo consumo energético la memoria de baja potencia aumenta la duración de la batería de tu ordenador portátil y mejora la estabilidad general de tu sistemacaracterísticas: rendimiento consabido velocidad excelente para pc portátil windows fiabilidad demostrada fiabilidad muy sólida y gran valor para un rendimiento mejorado bajo consumo energético la memoria de baja potencia aumenta la duración de la batería de tu ordenador portátil y mejora la estabilidad general de tu sistemaespecificaciones: marca: pny series: ddr4 2666 mhz voltaje: 12 voltios peso del producto: 22consigue mejor rendimiento de tu pc con una actualización de memoria pny performance ddr4 para pc ¿quieres trabajar con las aplicaciones de uso intensivo de memoria más recientes, como herramientas de diseño gráfico y de edición de vídeo? ¿te gustar tener muchas ventanas abiertas para trabajar, hacer deberes o jugar? ¿le cuesta a tu ordenador seguir el ritmo? una actualización de memoria performance ddr4 2666 mhz de pny te da la velocidad que necesitas para sacar el máximo rendimiento a tu actual ordenador portátil windows7 g dimensiones del producto: 6durante más de 30 años, pny ha creado, probado y fabricado rigurosamente actualizaciones de memoria para miles de las principales plataformas para pcperformance ddr4 2666 mhz la memoria performance ddr4 de pny incluye velocidades más rápidas, mayor ancho de banda, menor consumo de energía y mejor rendimiento térmico para una mejora notable en los tiempos de respuesta del pc durante el uso de aplicaciones de uso intensivo de memoria

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