Sdram ddr4 2666 8 gb almacenamiento
Listado sdram ddr4 2666 8 gb almacenamiento
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Capacidades disponibles: 4 gb 8 gb 16 gb tensión de alimentación 1,2 v frecuencia: 2133, 2400, 2666 mhzespecificaciones: marca: goodram voltaje: 12 voltios velocidad de memoria: 2666 mhz tipo de memoria del ordenador: ddr4 sdram número de modelo del producto: gr2666s464l19s/8g latencia del estroboscopio de dirección de columna: cl19 componente para: portátil diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 gb organización de chips: 512x81024x8la generación ddr4 es la más reciente de toda la familia ddr, por lo que está teniendo mucho éxitolos módulos ddr4 sodimm sirven perfectamente para los dispositivos informáticos móviles que requieren una modernización modesta y barata, pero al mismo tiempo eficaznos esforzamos por garantizar que cada memoria que hayamos fabricado cumpla los estándares de calidad más altos, lo cual se confirma en la garantía de por vida concedida con respecto a todos los módulos de memoria de la marca goodramcaracterísticas: para asegurar la máxima calidad de los módulos de memoria de goodram, colaboramos solamente con los mejores proveedores de componentes y utilizamos chips minuciosamente seleccionados de marcas mundiales para la producción de módulos
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Este documento descreve o kvr26n19s6 / 8 da valueram é um módulo de memória 1g x 64 bit (4gb) ddr4 2666 cl19 sdram (dram síncrona), 1rx16, baseado em quatro componentes fbga 1g x 16 bitscomponentes ram kingston kvr26n19s6/8 valueram 8gb ddr4 2666mhz pc4-21300o spd é programado para o tempo de latência ddr4 2666 padrão jedec de 19 19 19 a 1as especificações elétricas e mecânicas são as seguintes:características:fonte de alimentação: vdd = 1,2 v típicavddq = 1,2 v típicovpp = 2,5 v típicovddspd = 2,2 v a 3,6 vnominal e dinâmico na terminação do molde (odt) para dados, strobe e sinais de máscaraauto-atualização de baixa potência (lpasr)inversão de barramento de dados (dbi) para barramento de dadosna geração e calibração do vrefdq da matrizúnica classificaçãodetecção de presença serial (spd) eeprom integrado i28 bancos internos, 2 grupos de 4 bancos cadacorte de burst fixo (bc) de 4 e comprimento de burst (bl) de 8 por meio do conjunto de registro de modo (mrs)bc4 ou bl8 selecionável em tempo real (otf)voar por topologiacomando de controle terminado e barramento de endereçopcb: altura 1,23 (31,25 mm)compatível com rohs e livre de halogênioespecificações:cl (idd): 19 ciclostempo de ciclo de linha (trcmin): 45,75ns (min)tempo de atualização para ativo / comando de atualização (trfcmin): 350ns (min)classificação ul: 94 v 0temperatura de operação: 0o c a + 85o ctemperatura de armazenamento: 55o c a + 100o c)tempo de linha ativa (trasmin): 32ns (mincada dimm de 288 pinos usa dedos de contato de ouro
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