Samsung m378a1k43cb2 crc 8gb ddr4
Listado samsung m378a1k43cb2 crc 8gb ddr4
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La memoria lenovo de 8gb ddr4 2933 mhz udimm permite una alta velocidad de transferencia de datos de e/s y un menor consumo de energíadiseño que entrega alta disponibilidad, escalabilidad y máxima flexibilidad, precio y rendimientocaracterísticas: velocidad: ddr4, 2933mhz, pc4-23400 capacidad: 8gb interfaz: serial ata-600 (sata iii) garantía: limitada; 3 años (ofrecida por el fabricante) dimensiones: 133x30x339 cm; 40 gramos capacidad de la memoria ram: 8 gb tipo de memoria del ordenador: ddr4 sdram interfaz: serial ata-600 (sata iii) garantía: limitada; 3 años (ofrecida por el fabricante) lenovo v50s: 11ee, 11ef, 11ha, 11hbtotalmente compatible con los productos thinkcentre especificados2 voltios factor de forma: dimm número de contactos: 288 número de productos: 1 velocidad de memoria: 2933 mhz dimensiones del producto: 38 mmespecificaciones: marca: lenovo modelo: 4x70z78724 voltaje: 1con esta memoria ddr4, obtendrás un mejor rendimiento sin sobrecargar las necesidades de alimentación
España
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samsung m378a1k43eb2-cwecomponente para: pc/servidor, memoria interna: 8 gb, diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 gb, tipo de memoria interna: ddr4
España
51 €
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Componentes ram kingston memória ram fury beast rgb kf430c15bba/8 1x8gb ddr4 3000mhzos spds são programados para jedec standard latency ddr4 2400 timing de 17 17 17 a 1,2vcada módulo foi testado para funcionar em ddr4 3000 em um tempo de baixa latência de 15 17 17 a 1,35vfury kf430c15bb / 8 é um 1g x 64 bits (8gb) ddr4 3000 cl15 sdram (dram síncrono) 1rx8, módulo de memória, baseado em oito componentes fbga de 1g x 8 bits por módulo)classificação ul: 94 v 0temperatura operacional: 0o c a + 85o ctemperatura de armazenamento: 55o c a + 100o c6von die termination (odt)16 bancos internos, 4 grupos de 4 bancos cadaestroboscópio de dados diferencial bidirecionalpré-busca de 8 bitsburst length (bl) switch on the fly bl8 ou bc4 (burst chop)altura 1,34 (34 mm), w / dissipador de calorespecificações:cl (idd): 17 ciclostempo de ciclo de linha (trcmin): 45,75 ns (mincada 288 pin dimm usa dedos de contato de ourorecurso:fonte de alimentação: vdd = 1,2v típicavddq = 1,2v típicovpp = 2,5v típicovddspd = 2cada kit de módulo suporta perfis de memória intel® extreme (intel® xmp) 2)tempo de linha ativa (trasmin): 32ns (min)tempo de comando de atualização para ativo / atualização (trfcmin): 350 ns (min
España
51 €